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Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
来看看几个工艺的间距数据：
    Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22％、35％。
    相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联最小间距则都是64nm，相比于Intel大了23％。

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原帖由 @532  于 2015-12-9 10:53 发表
一是因为面积小

巨巨是不是脑容量也偏小的经常发骚

你滚蛋，傻逼

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原帖由 @一个大叫驴  于 2015-12-9 10:58 发表
Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
来看看几个工艺的间距数据：
    Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22％、35％。
    相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联最小间距则都是64nm，相比于Intel大了23％。

这个间距有多大影响？

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intel还是最强，但同样成本也是最贵，贵的不止一点。此外，能效差距在不断缩小，intel也没什么黑科技。tick tock战略到了移动领域并不好用，靠半卖半送才在平板那里拿了一些份额，手机soc几年了仍然一潭死水看不见起色。

本帖最后由 skycn111 于 2015-12-9 13:25 通过手机版编辑