按照Intel自己的说法，X-25M的损耗平衡和写入放大都只有1.1，在这个基础上得出这个80GB的理论写入数据量为：

80 x 10000 / 1.1 / 1.1 = 661157GB = 661TB

前两天看新闻说25nm MLC的写入次数从5000次减少到了3000次，那么按照X-25M G2的闪存颗粒也是5000次写入计算的话，就是330TB。

好吧，就算Intel牛皮吹破天，这个数字依然有极度夸大，实际写入量只能达到1/10，那么也有33TB。

33TB什么概念？每天把这块SSD完全清空再完全写入80GB，可以用412天。

你会每天这样折腾一次么？99%用户的系统盘，每天写入数据量恐怕连5GB都不到吧。

结合自己的情况，这玩意能用多久自己考虑:D

引用:

原帖由 dreamlost 于 2011-3-2 10:31 发表
猛操也得有个概念吧...
比如在SSD上装个虚拟机挂迅雷呢？

网络下载那点数据写入量算毛……这点恰恰是SSD比HDD强得多的地方
除非你光纤到桌面，一年到头不停地满速下载……

[ 本帖最后由 shangchi 于 2011-3-2 13:44 编辑 ]

这事难说……

随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。
　　Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。
　　据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB.OCZ在官方客服论坛上对此解释称，为了让SSD达到合理的预期使用寿命，他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB，因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常的”。
　　对于容量虚标的质疑，OCZ也无奈的表示，固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变，因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的，而该功能无法被厂商关闭，因此他们也没有办法改变。