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日本科学技术振兴机构（JST）2011年7月与南韩三星电子就使用氧化物半导体的「IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT」技术专利签署了授权协议。该技术基於东京工业大学应用陶瓷研究所教授细野秀雄的研究小组1995年开始开发的「透明氧化物半导体（TAOS）」。

　　IGZO TFT是实现具有超高精细、高速驱动及柔性等特点的新一代显示器的核心技术之一，日本国内外的面板厂商正在进行激烈的开发竞争。这是因为IGZO TFT的载流子迁移率高达非晶矽型TFT的数十倍，而且很少产生制造偏差。另外，IGZO能够采用低温工艺，还可考虑在基本室温下于树脂基板上制作TFT。除了三星之外，最近夏普、日本半导体能源研究所（SEL）及东芝等也加入了实用化竞争。

　　此次向三星提供授权的专利技术基於细野在JST的支援下取得的研发成果。细野自己的专利以及JST拥有的专利广泛涉及材料成分、设备及制造工艺等，共有数十项。除了在JST的支援下获得的专利之外，东京工业大学与佳能共同取得的专利也有「10项左右」（细野）。此次将把这50多项专利打包提供给三星。