转自PCEVA，帖子不让发外链，想看原文的话百度吧，原题目是：三星最新旗舰850 PRO的3D V-NAND颗粒可能是TLC模拟MLC


接下来我们来看一下本次三星新旗舰850 PRO上采用的颗粒内部Die图片，由上文已知128GB型号采用的颗粒分别是K9HQGY8S5M和K9LPGU8S1M各2颗。

这是三星850 Pro上采用的2种第二代32层 3D V-NAND颗粒。


如图，Wafer编号K9ADGD8S0A，其中
K9=Samsung NAND Flash
A=3bit MLC = TLC
DG=128Gb
D8 = DDR 8bit Access
S=Vcc 3.3v / Vccq 1.8v
0=普通
A=第二版

也就是说K9HQGY8S5M和K9LPGU8S1M内部是由4个和2个K9ADGD8S0A（128Gb=16GB）组成的64GB和32GB的容量，但是被三星故意屏蔽了TLC中的1bit来当成MLC使用。整块128GB的850 PRO其实是192GB的TLC，现在屏蔽1/3容量后模拟当128GB MLC用。

3bit的TLC结构，应该是全盘模拟SLC，写入1/3容量后掉速严重（可以用时间X500M来计算大概的写入容量），也就是说3bit的TLC，第一个bit速度最快，剩余2个bit速度慢，所以TLC无疑！估计写入放大很严重。


帖子是转的附上原文连接
http://bbs.pceva.com.cn/thread-97880-1-1.html

[ 本帖最后由 kid_xp 于 2015-5-25 09:28 编辑 ]

目前的闪存技术分3大种类：SLC/MLC/TLC。这里引用一下资料稍加解释：SLC是单层，一个单元存储1个bit。MLC是双层，一个单元存储2个bit、TLC是三层，一个单元存储3个bit。层数越多，寿命越短，性能越差，价格越便宜。

PS:原文说的没什么错误

[ 本帖最后由 kid_xp 于 2015-5-25 09:37 编辑 ]