iPhone6 Plus存缺陷恐将召回

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网易科技讯 11月4日消息，据韩国媒体报道，苹果最新的iPhone6和iPhone6 Plus智能手机被发现有功能缺陷，11月2日一些海外IT新闻网站报道，有些iPhone6和iPhone6 Plus的数据存储有问题。

Business Insider在10月24日报道，一些128GB版iPhone6 Plus用户有功能缺陷，当用户在不同应用之间切换或者查看通知时，据说手机会莫名其妙地死机或进入重启怪圈。Apple Insider在10月23日也报道，一些iPhone6 Plus机主已经更换4部手机，苹果最新的iOS 8.1升级没有修复这些缺陷。

业内人士指出，考虑到技术缺陷主要存在于128GB版iPhone6 Plus，问题有可能出现在三阶储存单元 （TLC）NAND闪存的控制器集成电路。TLC闪存属于固态NAND闪存，每个闪媒单元可存储3位数据，相比存储1位数据的单阶存储单元 （SLC）能多存储2倍的数据，也高于存储2位数据的多阶存储单元 （MLC）固态闪存。

此外，TLC闪存更廉价，但在读取和写入数据方面，TLC比SLC和MLC慢。据报道，为了节约成本苹果在128GB版iPhone6 Plus和其他一些型号上使用了TLC闪存。以前，TLC闪存被用于部分iPad平板电脑，而多数iPhone系列使用更昂贵但更稳定的MLC闪存。

网上很多报道显示，读取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC闪存，因此控制器集成电路的问题被认为是导致缺陷的最可能原因。随着对SSD840和840EVO争议的上升，三星不得不升级了固件。业内人士认为，如果TLC闪存是苹果手机缺陷的原因，苹果应该召回所有产品。