» 您尚未登录:请 登录 | 注册 | 标签 | 帮助 | 小黑屋 |


发新话题
打印

[业评] eSRAM和CELL哪个更难开发?

非凡个毛,带宽都不如DDR5的货色,绝壁是脑残设计,吹的真当自己是四两拨千斤了啊


TOP

引用:
原帖由 Nemo_theCaptain 于 2014-2-18 22:59 发表

EDRAM得拿出来,SOC做两个die,中间搭一个高速通道,就像英特尔那样
这么弄量产的时候多几道工序,但良品率和风险都很好控制
喷了,360的三红怎么来的?就是EDRAM和主GPU升热不一致导致的



TOP

引用:
原帖由 Nemo_theCaptain 于 2014-2-18 23:08 发表

微软自己在焊接和散热上偷工减料闹出三红还能怪在EDRAM头上?
AMD和英特尔玩了这么多年的胶水,哪个红了?
当年的技术什AMD和英特尔玩过什么GPU和RAM的胶水了?CPU之间的发热差能跟GPU比?


TOP

引用:
原帖由 Nemo_theCaptain 于 2014-2-18 23:17 发表

几个月不抽你脸又痒痒了是不是
奔腾D的TDP高达130瓦,比任何一个主机的显卡都热,那是CPU历史上发热量最恐怖的时代
好笑,理解能力堪忧啊,说的是GPU和RAM之间的发热差,你搬两个一样的核心哪怕都烧到1000度也没有温差啊

TOP

引用:
原帖由 Nemo_theCaptain 于 2014-2-18 23:25 发表

全世界人员研究到现在也没谁敢说三红的准确死因是怎么回事,只能粗略归结为整体显卡散热和焊接不行,你拿什么证据证明一定是EDRAM和GPU温差导致的?
就你这理解能力还是继续研究PS4显卡开核去吧
那你凭什么说双芯片就一定比单芯片好控制良率和风险啊,这三红不是风险啊

TOP

引用:
原帖由 Nemo_theCaptain 于 2014-2-18 23:31 发表

28纳米的发热量和90纳米的时代能比?
英特尔的128MB独立die EDRAM都量产一年了,散热和成本出问题了?

双die设计,缓存和APU独立,diesize小良品率就高,很容易控制
微软把ESRAM整个吞进SOC,面积增大,良率下 ...
INTEL的GPU和游戏机的GPU发热能比的?再说了AMD的工艺跟INTEL的能比的?你前面自己还说360的三红是因为微软偷工减料,后面又说是个迷,自扇也别这么快啊

TOP

posted by wap, platform: UC

其实就是想省钱,用esram弥补带宽就可以上ddr3了,结果偷鸡不成蚀把米

TOP

发新话题
     
官方公众号及微博