3nm会换GAA晶体管，然后再发展几代，然后就看不到可预见的未来了。
堆叠芯片可以保证设备集成度继续提升，但是没法改变半导体本身的效能不再进步这一点。

引用:

原帖由 Lucifer6E 于 2021-11-9 04:40 发表
等真到了2纳米的时候，1.9nm叫台积电9，1.8nm叫台积电8，还能再玩10年

改名没用，工艺不是面对消费者的
是不是真的便宜、功耗低、性能强才是重要的，靠改名骗不了客户。

引用:

原帖由 jinwyp 于 2021-11-9 19:16 发表
https://3g.163.com/dy/article/GF435AB105119JRD.html

晶体管结构早就变了，工艺前面的数值早就不再代表具体的栅的长度或者说源极和漏极之间的距离了，无论哪家都只是在延续命名规律，就是上一代工艺名称除以根号2就代表下一代工艺。

引用:

原帖由 江南恐龙 于 2021-11-9 22:39 发表
posted by wap, platform: iPhone
再小下去漏电是不可避免的

所以现代晶体管工艺提升要伴随着结构的改变而不是简单同比缩放