芯片的制程的极限在哪里？

zenodante

天外飞仙

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1^# 大中小发表于 2017-2-10 09:29 显示全部帖子

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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺基本上5nm就是底线了因为量子隧道效应再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法怎么做到大规模还是一个问题现在只能做出几个晶体管来做测试

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