英特尔今天表示，在微处理器上实现了历史性的技术突破：成功开发世界首个3D晶体管，名叫Tri-Gate。据英特尔介绍说，3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度，它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升，并且可以更节能，新技术将用在未来22纳米设备 中，包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。

根据英特尔的解释，公司重新为芯片设计了电子开关（即晶体管），在过去开关是平面的，现在增加了第三维， 它由硅基向上突出。例如，当土地有限，要增加办公室就可以盖摩天大楼。新的3D晶体管道理与此相似。

　　英特尔展示了22纳米处理器，代号为Ivy Bridge，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别，它不只可以用在电脑、手机和消费电子产品上，还可以用在汽车、宇宙飞 船、家用电器、医疗设备和其它多种产品中。

　　英特尔CEO欧德宁说：“英特尔的科学家和工程师曾经重新发明晶体管，这一次利用了3D架构。很让人震惊，改变世界的设备将被创造出来，我们将把摩尔定律带入新的领域。”

　　　　长久以来，科学家就认识到3D架构可以延长摩尔定律时限。这次突破可以让英特尔量产3-D Tri-Gate晶体管，从而进入到摩尔定律的下一领域。

　　摩尔定律认为由于硅技术的发展，每2年晶体管密度就会翻倍，它能增强功能和性能，降低成本。在过去四十年里，摩尔定律成为半导体产业的基本商业模式。　　

　　通过使用3D晶体管，芯片可以在低电压和低泄露下运行，从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下，22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外，在相同的性能条件下，新的晶体管耗电不及 2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。

　　首款3-D Tri-Gate晶体管22纳米芯片代号为Ivy Bridge，英特尔今天展示了该芯片，它能用在笔记本、服务器和台式机中。Ivy Bridge家族的芯片将成为首个大量生产的3-D Tri-Gate晶体管芯片，它将在年底开始量产。3-D Tri-Gate晶体管还将用在凌动芯片中。

    解读：对ARM构成威胁

　　英特尔推出下一代芯片技术，在微处理器装上更多的晶体管，并希望借此帮助公司掌握平板、智能手机市场的话语权。

　　按照英特尔的计划，2011年底将推出采用新技术的芯片，提供给服务器和台式机、笔记本，它还会为移动设备开发新的处理器。

　　采用3D晶体管的英特尔芯片可能会给ARM构成威胁，毕竟ARM是现任移动市场的老大。

　　受新技术发布消息刺激，ARM的股价今天大跌7.3%，在伦敦收于5.58英磅。

　　Matrix分析师阿德里安(Adrien Bommelaer)认为，英特尔是否能迅速闯进ARM的后院，这还没有定论。他说：“英特尔显然想跳出核心PC市场的范围。关键问题是‘它们能推出一款 处理器，足够强大，可以在移动计算领域一争高下吗？’”“它们将推出新的芯片，比上一代32纳米芯片节能50%，朝正确方向前进了一大步，但是否足够？我 不知道。要知道ARM自己的能效也在进步。”　　

　　据英特尔说22纳米的芯片性能比现在的32纳米芯片更高。为了扩大制程技术的优势，赶上移动竞赛，上个月英特尔将2011年资本开支提高到102亿美元，原定数额为90亿美元，目的是落实12纳米制程的开发。

　　在制程工艺上，英特尔大大领先于其它芯片商，它可以制造更快更高效的处理器。

　　自19世纪60年代以来，英特尔和其它半导体企业投入数十亿美元搞研发，每两年让芯片上的晶体管数量翻倍，从而方便产品进入到更小更快的小电子 产品中。随着时间的推进，开发和使用先进制程技术成本过高，许多企业无法负担。但分析师说，英特尔资金雄厚，能持续推进制程发展。

　　花旗集团分析师扬(Glen Yeung)对英特尔的新技术表示赞扬，将目标价提高到了27美元，建立买入英特尔股票。他认为英特尔在芯片制造上有3-4年优势，当芯片闲置时，3D晶体管可以减少电流泄露，当芯片繁忙时它能运行在更低的电压下。

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原帖由 rinlord 于 2011-5-5 09:17 发表
是指晶体管有三项开关,还是指把二d晶体管摆成立体状?

有三项开关,以前的代码还能用么?变成三进制?

1，是多了一个门，但这个门是立起来的，电流在这里立起来门通道里面流动。漏电是2D的几十万分之一。

2. 只是物理结构的改变，代码软件方面没有任何影响

引用:

原帖由 rinlord 于 2011-5-5 09:29 发表
没搞懂,有没有图示一下

这样的话岂不是更容易造成电子偏移,而且这样为什么会热量更低

为什么漏电会降低，很好理解，一个2D平面闸门的表面积能跟3D闸门通道的表面积相比么？

栅极的表面积增大了，电流的稳定性就提高了。而当电流的稳定性提高了，晶体管的性能也就可以加强了，漏电的程度也就可以降低了。

引用:

原帖由 意大利 于 2011-5-5 09:34 发表
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意思是说芯片会变厚？和砖头一样？
显然不是，那就没什么大不了了

是没什么大不了，也就是用22nm+3D晶体管做出的E8400功耗只有1瓦而已

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原帖由 卖哥 于 2011-5-5 10:49 发表
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运行功耗中只有1/3属于保持信号需要的静态功耗，主要的是改变状态门需要的，完全终止漏电也不过是降低百分之30~40的功耗罢了。

而且这个概念别家也有，叫做多态晶体管， ...

处理器大部分时间都不会处在满载状态，静态功耗本来就是功耗处理中最大的难点。

别家在研发不代表能实用，intel这产品都快上市了。总的来看intel制程优势愈来愈大，以后别的厂子只怕也只能做做低端喝点汤罢了

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原帖由 cloudius 于 2011-5-5 14:56 发表
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楼主我不是拆你台啊...
你说的什么万分之几，1w绝壁是火星技术啊。
3d的概念早就有了，没有你想的那么夸张啦。其他厂家一样会有的，只是没有intel这么早。

3D概念是早有，但是能商业化生产也只有intel，别家的连32nm到现在还搞不定，高下立判

至于功耗1.6G的45nm CULV酷睿功耗是10瓦，22nm+3D做到1瓦不是不可能的事。