[数码手机] 国产32层3D闪存年内量产

武汉４月１１日电（记者陈俊）位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。

目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于２０１７年成功研发我国首颗３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片。这颗耗资１０亿美元、由１０００人的团队历时２年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

据介绍，国家存储器基地项目２０１６年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资２４０亿美元，项目一期总产能将达到３０万片／月，年产值将超过１００亿美元。

32层3D闪存大概相当于三棒4年前的水平，给手机玩玩还凑合，放PC上性能就比较烂了，4K读写性能大概是目前最新三棒NVMe的四分之一