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跟intel吹实在没道理可讲，都快成邪教了。10nm不如14nm先进，也不说说为啥没14nm先进。虽然没正式推出之前都是白说。

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原帖由 @十步一杀  于 2015-12-9 07:44 发表
这可是能把14nm搞得比人家16nm发热高更耗电的三星啊。

两家用的工艺不一样的，台积电是改进型的。而且14nm功耗高一是因为芯片面积小二是因为性能飙的更高。不是跑分的话没什么区别的。

本帖最后由 oversleep 于 2015-12-9 08:06 通过手机版编辑

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原帖由 @532  于 2015-12-9 10:53 发表
一是因为面积小

巨巨是不是脑容量也偏小的经常发骚

你滚蛋，傻逼

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原帖由 @一个大叫驴  于 2015-12-9 10:58 发表
Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管，14nm上将进化到第二代，其他厂商则会陆续上马类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
来看看几个工艺的间距数据：
    Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22％、35％。
    相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联最小间距则都是64nm，相比于Intel大了23％。

这个间距有多大影响？