混世魔头
原帖由 sceic 于 2009-9-2 18:47 发表 引用: Flash Memory的标准物理结构,称之为基本位(cell),其特色为一般MOS的闸极(Gate)和信道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory在控制闸(Control gate)与信道间却多了一层物质,称之为浮 ...
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