10nm工艺：Qualcomm 高通发布骁龙835处理器 节能40%、QC 4.0快充技术！

Qualcomm（高通）发布了下一代snapdragon处理器骁龙835，它应该是之前曝光骁龙830处理器的真身。高通方面并没有提供新一代处理器的具体信息，只是声称新一代骁龙处理器的核心面积效率将提升30%以上，拥有约27%性能提升的同时还能节能40%左右。由于提升数据和三星新版节能工艺10nm LPE相符，基本可以确定骁龙835使用的正是三星的10nm LPE工艺。

与新版骁龙835一同推出的还有QuickCharge 4.0快充技术，其充电速度快了20%、效率提升30%，充电功率提升至28W，充电温度还响应降低了5℃。推测使用QC 4.0来进行手机电量0-50%的充电只需十多分钟，充电5分钟续航时间可达五小时。

高通目前旗舰级别处理器骁龙820/821使用的是三星14nm LPP工艺，选择继续合作并在目前这个时间段来纸面发布相信对双方都有一定帮助，而对应的手机产品可能要到2017年才会上市。另外相信很多用户对于那些提升数据并不感冒，骁龙835所包含的QC 4.0快充技术才是真正亮点：QC 4.0兼容USB Type-C和USB-PD充电规范、支持双充电IC，这就是说它拥有一统混乱的各家快充方案的可能性，这对于用户体验的提升是实实在在的。