【存储性能：竟然支持NVMe/缓存加速】

是的，你没看错。Android世界刚刚开始从eMMC转向UFS，苹果已经走向了NVMe。这可是之前企业级固态存储的专利，最近才刚刚走向高端桌面系统，苹果就用在了手机上！

这很显然也是苹果自己定制的技术，因为目前市面上没有可用的方案，而且看起来应该是从其MacBook系列笔记本上固态存储方案借鉴过来的，后者就一直用着苹果自己的闪存控制器。

NVMe的好处我们已经说过很多次，简单总结就是更高性能、更低延迟、更低功耗，更适合固态存储性能的发挥。

这里测试的iPhone 6S容量是128GB，系统检测闪存编号是“1Y128G-TLC-2P”，代表着1ynm工艺的TLC。这种闪存比MLC成本低、(相对)寿命短，曾在iPhone 6 128GB上掀起不小的风波，但事实上对普通用户而言根本没有任何区别。

更何况，iPhone 6S上还支持TLC/SLC混合缓存加速，也就是三星850 EVO、闪迪iNAND 7232之类的，将部分TLC模拟为SLC缓存进行加速。

iPhone 6S三大性能实测：闪存惊现黑科技！

持续读取提升近60％，无敌

持续写入提升达90％，还是无敌

随机读取提升约35％，稍微弱于UFS 2.0规格的三星Galaxy S6系列
、
随机写入提升约60％，进入了上流集团，但还有更多更好的
为了考验SLC缓存加速的效果，我们再来看看连续写入5GB数据的过程，每次256KB，Y轴代表写入时间。

前边3GB基本很稳定，写入时间也很短，只有0.01秒。1.8GB前后有一波儿凸起，可能是垃圾回收什么的。

3GB之后写入时间提高到了至少0.02秒，且不断凸起，说明SLC缓存已经用完了，TLC的带宽又有限。

总的来说，iPhone 6S的存储性能十分彪悍，苹果使用了从未见过的移动存储方案，遥遥领先其他任何对手

之前我说过apple这一代换闪存主控了，性能果然NB

Apple完全按照自己规划的性能要求来设计芯片，然后辅以自己的系统
猴机上其实也有厉害的，三星上一代闪存里加了一颗512mb的DDR芯片，所以性能很NB，可惜没系统配合，体现不出来
当台式机还在SATA2--》SATA3的时候，Apple直接pci-e了
手机现在看起来也是

Samsung在NAND方面的技术是绝对牛的
只是他愿不愿意做,
然后做出来有没有发挥的舞台