港真，内存现在是不是可以空单拉满了，233喷了

一条内存生产线（指DRAM或NAND闪存等内存芯片的晶圆制造产线）的投产周期通常为2-4年，典型情况下约为3年。
这个周期主要包括以下阶段：

土建与洁净室建设：约1-2年。
设备安装、调试与认证：约1-2年。
从动工到初步投产：整体2-4年，之后还需要几个月到一年时间ramp up（爬坡）到稳定量产。

具体依据与行业案例

行业共识：新建DRAM或NAND晶圆厂（fab）从建厂到投产一般需要约3年，即使立即启动扩产，也需等待3-5年才能显著增加市场供应。
DRAM晶圆厂建设周期：长达2-4年，百亿美元级投资，即便现在启动，也要到2028年后才能形成有效产能。
美光新加坡NAND新厂：2026年破土动工，预计2028年下半年开始输出晶圆，周期约2-3年。
其他项目：如美光纽约或英特尔Ohio大型fab项目，从宣布/启动到投产也多在3-5年区间（含延期因素）。