印象里硅原子的直径（或者说单晶硅的键距？）大约是0.1nm

几个nm的话就是说是几十个硅原子堆积木，中间混个杂质原子可能就整个晶体管微观结构击穿漏电了，想想都可怕

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原帖由 旨旨 于 2017-2-9 22:07 发表
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0.1nm是氢原子，不是硅原子

https://www.zhihu.com/question/26713551

大约110pm，0.11nm

氢原子本身单个原子的时候体积是大，有共价键以后直接缩一大圈了，硅原子这种算的应该也是单晶硅那种键距，直接测了密度就能算出来

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原帖由 zenodante 于 2017-2-10 09:29 发表
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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺 基本上5nm就是底线了 因为量子隧道效应 再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法 怎 ...

我感觉这类材料要是能造出连续延展的宏观可视级别的尺寸，基础材料行业估计会先比半导体行业炸锅啊，三体里面那个什么古筝行动也不是科幻了