TLC其实没错误，关键是三星把TLC卖出MLC的价格。840pro的时候三星广告上到处能见到MLC的宣传，到了850pro宣传上对颗粒只字未提只是含含糊糊的标一个3D V-NAND 很明显是怕后人找事。

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原帖由 allensakura 于 2015-5-25 10:15 发表

SB，还三层设计，笑死我了
TLC和MLC在物理结构上基本没有区别知道不？要说物理层数全都都是一层

SLC 1个存储器储存单元中存放1bit的资料，MLC 1个存储器储存单元存放2bit的资料。TLC 1个存储器储存单元可存放3bit的资料。人家说的也没啥错，只是换了个通俗的方法而已。不管怎么说物理上讲TLC成本最低寿命和成本都最低这点是毋庸置疑的。

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原帖由 allensakura 于 2015-5-25 10:44 发表

SLC、MLC、TLC甚至未来的QLC在物理结构上都没有区别

转个驱动之家的一句话把：注意，随着闪存制程的进步，擦写次数反而在下降。为什么？存储密度增加了，那个“存储池子”变薄了，不耐擦。

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原帖由 @allensakura  于 2015-5-25 11:39 发表
原来3bit是3层，知不知道3bit是什麽意思

大概意思没错的

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不管怎么说三星850pro是tlc并且卖mlc价格这件事情是事实，tlc寿命和稳定比mlc差这也是事实。搞不明白有些人扣来扣去到底要说啥？

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为啥他不直接当MLC卖？关键是他一直当mlc的价格卖

本帖最后由 dhd 于 2015-5-25 13:06 通过手机版编辑

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原帖由 @allensakura  于 2015-5-25 13:09 发表
冗余容量超过30％的TLC硬碟成本就会超过MLC，懂了没？不懂我也没办法

那它还是tlc

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原帖由 @allensakura  于 2015-5-25 13:16 发表

这种智商难怪仙人掌防辐射这麽有市场

tlc模拟mlc就不是tlc了吗？缺点顶楼连接里面写的很详细。