原帖由 @elia 于 2017-2-9 20:56 发表
以前说几十NM就极限了,先都几NM了
原帖由 @532 于 2017-2-9 21:21 发表
印象里硅原子的直径(或者说单晶硅的键距?)大约是0.1nm
几个nm的话就是说是几十个硅原子堆积木,中间混个杂质原子可能就整个晶体管微观结构击穿漏电了,想想都可怕
原帖由 @fatehe 于 2017-2-9 22:35 发表
软件算法没跟上?
原帖由 zenodante 于 2017-2-10 09:29 发表
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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺 基本上5nm就是底线了 因为量子隧道效应 再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法 怎 ...
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