原帖由 @samusialan 于 2016-7-13 21:43 发表
新工艺漏电率高,nv再调整架构让漏电率更高,可以获得高频率,看看新卡就知道,漏电率都快接近100%了
不过一般是不会这样做的,会加大并浪费功耗,但nv上一代麦克斯韦架构刚好以高能耗比、低功耗著称,估计nv也是放手试一试吧,只是没想到效果拔群
这次台积电的16nm还不错,而14nm这边真的不行,intel都卡了很久,更别说借三星渣技术的gf,现在的消息看10nm也是渣,估计很多厂又要跳过观望7nm了
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