原帖由 @bmin 于 2015-12-8 18:25 发表
三星和台积电在半导体领域领先蓝星最强科技intel?
呵呵
可能是我不懂
原帖由 @bmin 于 2015-12-8 18:25 发表
三星和台积电在半导体领域领先蓝星最强科技intel?
呵呵
可能是我不懂
原帖由 @oversleep 于 2015-12-9 07:27 发表
跟intel吹实在没道理可讲,都快成邪教了。10nm不如14nm先进,也不说说为啥没14nm先进。虽然没正式推出之前都是白说。
原帖由 @十步一杀 于 2015-12-9 07:44 发表
这可是能把14nm搞得比人家16nm发热高更耗电的三星啊。
原帖由 @oversleep 于 2015-12-9 07:27 发表
跟intel吹实在没道理可讲,都快成邪教了。10nm不如14nm先进,也不说说为啥没14nm先进。虽然没正式推出之前都是白说。
原帖由 @一个大叫驴 于 2015-12-9 00:05 发表
英特尔的atom不打的你arm一票不要不要的?说到底在移动领域不强势还是因为不愿意放弃x86,立场不同所以没有执行力,从p排,14nm等一系列三星产品来说,三星是一个营销公司,产品并没有那么强
原帖由 oversleep 于 2015-12-9 08:05 发表
posted by wap, platform: iPhone
两家用的工艺不一样的,台积电是改进型的。而且14nm功耗高一是因为芯片面积小二是因为性能飙的更高。不是跑分的话没什么区别的。
本帖最后由 oversleep 于 2015-12-9 08:06 通过手 ...
原帖由 @532 于 2015-12-9 10:53 发表
一是因为面积小
巨巨是不是脑容量也偏小的经常发骚
原帖由 @一个大叫驴 于 2015-12-9 10:58 发表
Intel 22nm工艺已经率先使用了3D立体晶体管,14nm上将进化到第二代,其他厂商则会陆续上马类似的FinFET,包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
来看看几个工艺的间距数据:
Intel 14nm的栅极间距为70nm,内部互联最小间距为52nm,这两项指标分别比22nm缩小了22%、35%。
相比之下,台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm,前者只相当于Intel 22nm的水平,后者也略弱一些,而内部互联最小间距则都是64nm,相比于Intel大了23%。
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