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标题: Intel 的 3D 记忆体比现代存储媒介快 1000 倍 [打印本页]

作者: cc0128 时间: 2015-7-31 07:16 标题: Intel 的 3D 记忆体比现代存储媒介快 1000 倍

posted by wap, platform: MAC OS X
虽然很想把文章写得像发现了新大陆一样兴奋，但仔细读过去，就会发现 Intel 和 Micron 共同发布的这个新的「3D Xpoint（发音如 cross-point）」，其实就是我们多年前写过的忆阻器和材料技术的实用化。至少很难得地，这个技术竟然能照着预计的时程推出，之前答应「2016 可以实用化」，目前看起来应该是没有问题的呢。
这颗新晶片利用了两个新的技术：一个是可以改变电阻的一种晶体，对这种晶体施加电压可以改变它的电阻值，并在电压消失后继续保存着。如果我们把不同的电阻值视为数据的 0 或 1，那测量电阻值就可以知道这个晶体存放的资料是什么了。第二个技术是称为「crosshatch」的电路结构，由垂直方向的多层细密电线交错而成，层与层之间连通上述的晶体。这种方式的资料储存是立体的，所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍，读写快千倍，而且也更耐久。这么一来，忆阻体可以有等同，或甚至超过 DRAM 的表现，而且还是永久储存，不会因断电而损失资料。说不定它可以在未来，让內存和存储的分野消失，CPU 直接去读写硬碟的资料！
Intel 将先把这个技术应用在大数据上，特别是大量资料的即时分析。虽然据称 Xpoint 已经在量产中，但要来到消费者手上大概还是有一段距离的。

http://cn.engadget.com/2015/07/29/intel-3d-memory-1000-times-faster/

作者: DeepSearchz 时间: 2015-7-31 07:17

虽然是中文完全看不懂

作者: jun4rui 时间: 2015-7-31 07:32

posted by wap, platform: 华为 Ascend Mate
现在内存也就比顶级的SSD快个几倍而已，上千倍的非挥发性存储设备我？那IT行业会变天啊！

作者: 威尼斯睡裤 时间: 2015-7-31 08:39

Intel在搞的是 NVMDIMM
不知道是不是就是用了这个技术, 反正下一代server上Intel准备推
特性是可以掉电存数据, 可以设置成disk来用, 容量比DDR4大很多,能达到256G, 512G每根, 但速度比现有DDR4慢

作者: 我不懂 时间: 2015-7-31 08:40

posted by wap, platform: Galaxy Note III
这种黑科技就算有，也会5倍5倍推出骗你50年钱

作者: 大头木 时间: 2015-7-31 09:29

4k速度和内存一样？

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