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标题: [电脑] 完整产业链的三棒继续发威，关键字V-NAND SSD [打印本页]

作者: ferrerorun 时间: 2013-8-15 18:50 标题: 完整产业链的三棒继续发威，关键字V-NAND SSD

http://news.mydrivers.com/1/272/272648.htm
日前，三星宣布在全球范围内率先批量投产采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”，而韩国巨头并没有让这种新型闪存闲着。仅仅一周后的2013年闪存峰会上，三星就发布了第一款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘产品，名字就直截了当地叫做“V-NAND SSD”。
V-NAND SSD采用标准的2.5寸规格，厚度为7毫米，但主要面向企业级市场，已于本月初投产，不过出货时间未公布。
它提供了960GB、480GB两种容量版本，其中前者性能最佳，持续和随机写入速度提升超过20％、功耗降低超过40％(没有给出对比对象)，采用了64颗MLC 3D V-NAND闪存内核，每一颗容量128Gb(16GB)，同时搭配SATA 6Gbps主控制器。
三星宣称，3D V-NAND在极大提高存储密度的同时，还解决了闪存进入1xnm工艺时代后的可靠性和耐用性问题，V-NAND SSD的编程/擦写循环次数高达3.5万，相比之下25/20nm的普通型MLC NAND才不过3000次。
三星的3D V-NAND闪存内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列，可以将最多24个单元层堆叠在一起。
三星表示会继续研发下一代3D V-NAND，但没有透露何时会推向消费级市场。

作者: 红叶 时间: 2013-8-15 19:12

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小日本在开发300G容量光盘

作者: smokesnake 时间: 2013-8-15 19:33

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引用:

原帖由 @红叶于 2013-8-15 19:12 发表
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小日本在开发300G容量光盘

网络时代，光盘已经没有前途了

作者: lastescaper 时间: 2013-8-15 19:37

小日本落后了，这个才是正途

作者: ferrerorun 时间: 2013-8-15 19:37

引用:

原帖由红叶于 2013-8-15 19:12 发表
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小日本在开发300G容量光盘

三星却把硬盘业务全盘打发给希捷，专心发展FLASH NAND。

这就是区别，三棒脑袋比日本子灵活·····懂得顺应大势，鬼子思路还沉浸在20世纪辉煌中不可自拔。

[ 本帖最后由 ferrerorun 于 2013-8-15 19:41 编辑 ]

作者: ffcactus 时间: 2013-8-15 19:50

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过度性产品，迟早要被忆阻器代替。

作者: Zico2003 时间: 2013-8-15 22:14

引用:

原帖由 ferrerorun 于 2013-8-15 19:37 发表

三星却把硬盘业务全盘打发给希捷，专心发展FLASH NAND。

这就是区别，三棒脑袋比日本子灵活·····懂得顺应大势，鬼子思路还沉浸在20世纪辉煌中不可自拔。

三星非SSD 的硬盘业务纯贴TDK广东工厂的硬盘，自己没一点点技术实力

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