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配件昨天到，手机中午到，开箱什么的就不发了，满地都是
大体上没发现问题，
打字没发现漏字
拍照反正比米2明显好
miui6下跑分5W5
漏光轻微存在，纯黑下目视也不是很明显，我觉着没影响
振动比米2略强，可用
外放比米2明显进步，外放大很多，最大音量未见破音。实测铃声为バ一スモィム、拔锚!.mp3、胜利.mp3、檄！帝国华墼团インスト .mp3
大体没啥问题，以下是我关心的几个内容的实测

以下是白尾巴实测充电数据，屌科为迪奥科，充电头论坛比较推的品牌之一
原装头原装线8.83v1.16a
屌科头原装线9.19v1.17a
屌科头+屌科0.5米+小米转接头9.19v1.17a
原装头+屌科0.5米+小米转接头8.83v1.16a
转接头在这种低电流下可以认为毫无影响
牛3头+屌科0.5米+小米转接头5.39v1.17a
牛3头+原装线5.39v1.17a
考虑到白尾巴的内阻问题，我个人猜测这次小米4c板端电流限制是1.2A，也就是跟米2一样，比米3米4米牛的1.5A大踏步后退[s:137]
如果不用QC头只能得到5V1.2A左右的充电能力，线补神器牛3头dk版也只能拉到5.4V（考虑白尾巴内阻可能更高些）

所以建议大家入手QC头，比如牛4那个9v1.67a的


以下是拷入拷出实测
原装线在usb2.0口上粘贴进去一份WoT.0.9.10_cn_hdinstall.9106639685-1.bin文件（1.95G）实测花了1分38秒，折算下大约20M/S写入
原装线在usb2.0口上复制出来一份WoT.0.9.10_cn_hdinstall.9106639685-1.bin文件（1.95G）实测花了1分35秒，折算下大约21M/S读取
原装线在usb3.0口上粘贴进去一份WoT.0.9.10_cn_hdinstall.9106639685-1.bin文件（1.95G）实测花了1分10秒，折算下大约28M/S写入
原装线在usb3.0口上复制出来一份WoT.0.9.10_cn_hdinstall.9106639685-1.bin文件（1.95G）实测花了1分09秒，折算下大约29M/S读取
所以拷数据的人记得，即使是2.0的线，接在3.0口上也有意义
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更新
触控应该没什么问题，相比米2来说
读取proc/hwinfo可见
EMMC: Toshiba
DDR: Hynix
LCD:SHARP_RSP61322_1080P_VIDEO_PANEL
TOUCH IC: Synaptics
TP Maker: Biel D1
怎么没摄像头啊……请问如何看摄像头参数
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更新

双手快速打字没有问题，但是单手操作有时候有些地方需要按两三次这样，又玩了半天应该是触控不灵敏，指腹成功率高，指侧角质层多的地方就容易失败
另外因为下巴较短，按三大金刚的时候会误触触摸屏下端，注意就好
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更新续航
90%

74%

50%

40%

10%


续航简测，做了90%-74%-50%-40%-10%，最后40%可谓尿崩
另外30%开始截屏出现bug导致没有数据，10%的时候尝试多次无法解决便用同事s6拍照记录完成测评
并录制了自动删除截屏的bug视频
http://v.youku.com/v_show/id_XMTM0ODAzNTg2NA==.html

最后附上A1 SD跑分，截图里的锤子5511是谁啊这么快


[ 本帖最后由 sakuraNTET 于 2015-9-29 20:45 编辑 ]

本帖最后由 sakuraNTET 于 2015-9-29 20:47 通过手机版编辑

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手机看看尾巴

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用了miui才知道内存毁灭技术是什么

读取proc/hwinfo可见
EMMC: Toshiba
DDR: Hynix
LCD:SHARP_RSP61322_1080P_VIDEO_PANEL
TOUCH IC: Synaptics
TP Maker: Biel D1
怎么没摄像头啊……

引用:

原帖由 sakuraNTET 于 2015-9-28 23:25 发表
读取proc/hwinfo可见
EMMC: Toshiba
DDR: Hynix
LCD:SHARP_RSP61322_1080P_VIDEO_PANEL
TOUCH IC: Synaptics
TP Maker: Biel D1
怎么没摄像头啊……

被保留同质供应商权利了

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红牛2要是全网通就好了

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外放看来不错，坐等铺货……

续航和发热如何？

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引用:

原帖由 @权  于 2015-9-29 00:02 发表
续航和发热如何？

明天测

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在論壇上看到的查看屏幕的方法，樓主可以試試，嗯。
拨号输入 *#*#284#*#* 等候1分钟生成BUG报告，解压后打开 找到 mdss_mdp.panel=1:dsl:0:qcom,mdss_dsl_sharp这行sharp表示的是夏普 BUG报告在MIUI——debug_log文件夹里面

本帖最后由 月宫雅 于 2015-9-29 02:02 通过手机版编辑

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a1 sd bench可以测下闪存速度，看有没有米4水平，好像是150/220M

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引用:

原帖由 @zlzhcqblf  于 2015-9-28 23:12 发表
用了miui才知道内存毁灭技术是什么

miui7在内存方面已经比6好了一些

引用:

原帖由 zlzhcqblf 于 2015-9-28 23:12 发表
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用了miui才知道内存毁灭技术是什么

三棒表示不服，当年美版note2拿到手开机一看只有400M可用内存空间，吓尿了。

然后note3我琢磨着3G内存总该能至少给个1.5G用用吧，结果拿到港版开机居然也就700多MB可用空间，至此以后就跟三棒官方固件说再见了。

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s6 edge5.0的时候3g内存基本是用完的，怎么优化没用，刀塔传奇玩久了卡死，我跟他讲得等5.1，苦等两月终于升到5.1，内存还是占满，游戏终于流畅了，应用怎么切也是流畅，除了电池没有缺点，就是降了800。所以三星就别在意内存了，用过几个三星，固件都是官方加自己精简最好

跟mi4比怎么样？我的mi4是电信3g的，为了4g，纠结是买mi4c还是等mi5