老外的拆机出来了
http://www.anandtech.com/show/56 ... e-and-size-revealed

Using the Toshiba eMMC NAND that resides next to the A5X as a reference, we can come up with a rough idea of die size. Based on Toshiba's public documentation, 24nm eMMC 16GB parts measure 12mm x 16mm. Using photoshop and the mystical power of ratios we come up with a rough estimate of 10.8mm x 10.8mm for the A5X die, or 117.5mm^2. If you remember back to our iPad analysis article, we guessed that conservative scaling on a 32nm process would give Apple a ~125mm^2 die for the A5X. While there's a lot of estimation in our methodology, it appears likely that the A5X's die is built on a 28/32nm process - or at least not a 45nm process. Note that this value is entirely dependent on the dimensions of Toshiba's NAND being accurate as well as the photo being as level and distortion-free as possible.

看情况A5X最少是用到了32nm制程，但是之前的跑分都表明A5X的CPU比前代基本没进步，而且长时间使用左下发热厉害
是不是基本上可以判定
1.SGX543MP4是暖炉
2.高通的LTE芯片是暖炉
照这个样子看543MP4是绝对上不了新一代iPhone了
PSV也是用的543MP4，但是好像发热和耗电并没有这么夸张，索尼是不是有什么火星科技

芯片的频率嘛。

posted by wap, platform: iPad

厚度差那么多，散热要好做多了。

有什么火星科技，psv明显是频率低了

我猜可能第一是PSV降频了，第二是543MP4+那个加号里面做了点文章
另外PSV的四核A9看起来有重蹈当年土星双核覆辙的危险，除了第一方没几家厂商能够驾驭
不过索尼好像有开放PSV OS的SDK的计划，做成通用系统的话4核A9就有意义了，软件能跟上的话，以后升级下制程和电池提下频做个平板还是合格的

posted by wap, platform: HTC

制程跟性能没有必然联系，
lte芯片没有封装到a5x里面

posted by wap, platform: SAMSUNG (Galaxy S II)

@henryzyl mark

降频,锁核

posted by wap, platform: SAMSUNG (I9000)

按照索尼的说法，加是指独立显存。

ram也被移出来了，水果真是不断挑战极限

要不为啥TEGRA3的GPU那么龊

堆显卡就是疯狂增加功耗，换谁来都一样

引用:

原帖由 hudihutian 于 2012-3-16 09:27 发表
要不为啥TEGRA3的GPU那么龊

堆显卡就是疯狂增加功耗，换谁来都一样

tegra3的GPU还差？高通用28nm的8960 GPU都给tegra3操翻

posted by wap, platform: Android

话说用电这么厉害电池容量增加这么多，不知充电时间要多久啊…

引用:

原帖由 u571 于 2012-3-16 10:26 发表



tegra3的GPU还差？高通用28nm的8960 GPU都给tegra3操翻

跟高通有什么好比的

比543mp4+确实是要差不少，起码在指标上

引用:

原帖由 hudihutian 于 2012-3-16 10:29 发表


跟高通有什么好比的

比543mp4+确实是要差不少，起码在指标上

说的不是废话，tegra3还是40nm而且还是4核。A5X的处理器部分跟A5没啥区别，跑多线程CPU吃重应用给tegra3操翻N遍。