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[电脑] OCZ sandforce 这指标也太坑爹了吧（转型为储存器知识介绍贴）

cloudius

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1^# 大中小发表于 2011-6-5 23:45 只看该作者

[color=DarkRed][size=2]posted by wap, platform: iPhone[/size][/color]

60GB Max Performance*

* Max Read: up to 525MB/s
* Max Write: up to 475MB/s

淘宝挑SSD，无意中看到OCZ的指标。。。一直听说sandforce水分大，60G写数据能这么夸张，火星科技么
上次问了做ssd的同事，说我们自己的64G写只能做到70多，原因是因为60G容量小，nand die的数量少，并行写入的速度是和die的数量成比例的。

用过的朋友说说看啊，实际速度是多少？

[i] 本帖最后由 cloudius 于 2011-6-6 10:21 通过手机版编辑 [/i]

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dizhang

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2^# 大中小发表于 2011-6-5 23:50 只看该作者

这数值太强了吧？啥型号的？

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cloudius

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3^# 大中小发表于 2011-6-5 23:51 只看该作者

http://item.taobao.com/item.htm?id=10417842857&

淘宝卖家没标错吧
惊了！湿了！喷了！

查了下美国新蛋，貌似正常了一点。。。
Performance
Sequential Access - Read
Up to 230 MB/s
Sequential Access - Write
Up to 135 MB/s
Sustained Write: Up to 70MB/s

[ 本帖最后由 cloudius 于 2011-6-5 23:55 编辑 ]

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Zico2003

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4^# 大中小发表于 2011-6-5 23:55 只看该作者

这公司的这种主控方案不是一直都是各种虚标么……
然后白片门，ES版主控门等等

本本INTEL，台机MICRON

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dizhang

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5^# 大中小发表于 2011-6-6 00:09 只看该作者

测试了我的ssd

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6^# 大中小发表于 2011-6-6 00:32 只看该作者

看过一篇介绍文章，sandforce的主控貌似是通过快速压缩数据的方法来达到读写超快速的，对可疑压缩的数据写入硬盘之前进行压缩，比如10M数据，压缩成了1M，然后花0.1秒写入1M数据，实际写入速度是10M/秒，而看起来就变成了100M/秒了。这样还能省芯片磨损度，唯一的缺点是对压缩不了的数据就原形毕露了。

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7^# 大中小发表于 2011-6-6 08:26 只看该作者

SF主控的标称速度都是全盘写零，最高压缩率下测试的数据

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8^# 大中小发表于 2011-6-6 08:33 只看该作者

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- OCZ 2.93%

OCZ应该改名叫orz还差不多

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9^# 大中小发表于 2011-6-6 08:53 只看该作者

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坑爹啊！

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cloudius

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10^# 大中小发表于 2011-6-6 09:33 只看该作者

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引用:

原帖由 @纸冰心于 2011-6-6 08:33 发表
Intel 0.59%
Crucial 2.17%
Crucial 2.25%
Kingston 2.39%
OCZ 2.93%

OCZ应该改名叫orz还差不多

这是什么？返修率？

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shangchi

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11^# 大中小发表于 2011-6-6 09:38 只看该作者

我是来捣乱的

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fatehe

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12^# 大中小发表于 2011-6-6 10:01 只看该作者

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啊?还有这样的事?

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cloudius

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13^# 大中小发表于 2011-6-6 10:19 只看该作者

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地铁上，无聊...随便写点基础知识吧，希望对大家有帮助
为什么dram和nand，ssd都是写入慢读出快？
拿一个bit举例，写的时候需要通过sense amplify改写存储单元内的数值，但是读的时候就不需要，我只要把wordline and cs打开，(可以理解为控制存储单元横向和纵向的两个开关，两个都开了才能写数据进入)，就可以读数据了。所以主要差别就是存储单元的改写...

nand process一直比dram先进两代左右，为什么？
不是因为nand速度慢，而是因为nand的存储单元工艺上稳定好做，而dram的存储单元工艺上更加复杂。现在主流ssd都是28nm。dram相应的主要在43nm以上

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dizhang 激骚 +1 版务处理 2011-6-6 11:24

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