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原帖由 go321 于 2024-2-3 00:42 发表
早就遇到物理瓶颈,之前看了一下台积电高层的访谈,这些所谓几纳米更像是宣传口语,几乎都是旧技术上不断堆叠
苹果这些公司一般也不会要求几纳米的技术,决定用什么技术,都是台积电基于成本和利润来选择自己前几年 ...
恰恰相反,是新技术的应用延续了密度和性能的提高。
确实,多少nm一词对应的栅极宽度因为晶体管结构的变化,实际上已经没有完美对应的对象了。
现在更多的含义是如果数字除以根号2了,就是下一代工艺。
但是这恰恰意味着半导体工艺脱离了可以简单微缩就能提升密度和性能的舒适区,每一代都要对晶体管结构进行或多或少的重新设计,简单的比如可以简单微缩的部位微缩,不能微缩的部位找一种更敏感的材料来等价也经过了工艺演进,比如加高鳍片高度,复杂的比如FinFET、GAA这类晶体管结构的变化。
结果就是为了维持类似过去简单微缩就能提升的密度和性能,现在每一代工艺花的钱在指数级增长。