三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片。三星称，第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，实现了新的突破。

　　和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。同时，阵脚带宽3600Mbps起，也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

　　与此同时，三星电子方面表示：“通过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新，我们已经突破了DRAM扩展性的主要障碍。通过第二代10nm级DRAM的快速增长，我们将更加积极地扩展我们整体的10nm级DRAM的产品产能，以适应强劲的市场需求，并继续加强我们的业务竞争力。同时，也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态存储芯片的开发工作。”

　　总之，三星第二代10nm级DRAM芯片的量产，对于消费者来说，也意味着，在这内存价格飙升的情况下，在未来内存的价格将有望下探。也就是说在明年，内存/SSD的基础产能也将得到极大的满足，最终带动价格下探。

http://storage.yesky.com/369/464042369.shtml
http://news.pconline.com.cn/1054/10548465.html

韩系两大DRAM厂确定2018年首季涨价，DRAM 涨势短期难降温

　　DRAM 内存市场近期严重供不应求，造成全球内存龙头三星将于 2018 年第 1 季价格再上调 3% 至 5%。 而另一家内存大厂 SK 海力士也将调涨约 5%。 除此之外，有部分供应链透露，2018 年第 2 季的价格恐也将不乐观，价格将续涨 5% 以上。 因此，在需求太强劲的情况下，此波 DRAM 价格从 2016年下半年以来，每季都呈现上涨的态势。 如果加上 2018 年第 1 季持续涨价，报价已经连续 7 季走扬，堪称 DRAM 史上时间最长的多头行情。
　　事实上，当前的第 4 季是传统 DRAM 市场旺季，在供不应求的情况下，价格出现调涨属于正常其况。 其中，标准型 DRAM 模块，合约价较上季涨 7%。 而 4GB DDR4 模块均价则是来到 30.5 美元的价位，创下历史新高纪录。 对此，业界解读，三星、SK 海力士在 2018 年第 1 季的相对淡季中涨价态度坚决，等于向全球宣告，韩系大厂决定维持 DRAM 价格持稳不坠的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，以防止中国 DRAM 竞争对手窜起的流言。
　　对此，业界表示，传闻三星加大扩产内存力道，是为了将中国内存产业扼杀在萌芽，是有点太看得起中国厂商。 虽然，2018 年中国内存产业开始进入试产阶段。 但是，要与三星、SK 海力士等目前的领头企业抗衡，中国内存厂商至少还需要 3 到 5 年的时间，而整体中国内存产业要真正崛起，也至少需要 5 到 10 年的光景，目前可说是还处于交学费阶段。
　　据了解，相关 DRAM 供应链表示，三星、SK 海力士陆续通知 2018 年首季调涨 DRAM 售价。 由于两大韩系厂全球 DRAM 市占率总计近八成，在寡占态势下，下游厂商只能接受涨价。 一般预料，这波涨价，更确立这波 DRAM 的多头行情，使得 DRAM 成为 2018 年获利最稳定的电子零组件。
　　另外、业界人士还指出，造成此波 DRAM 供不应求的原因，除了来自人工智能、车用、云端服务器、物联网、笔记本电脑以及行动设备等需求瞬间大增，但主要内存厂却多集中发展 3D NAND 闪存，压缩 DRAM 产能，在需求大增， 供给增加有限的情况下，市场供需严重失衡。
　　如今，在三星与 SK 海力士确认 2018 年第 1 季价格调涨，第 2 季的情况也可能会相同的情况下，这波供不应求的情况至少还要持续半年以上的时间，使得 DRAM 业者的获利在短期内有能有所期待。

刚看到消息不会扩大现有的产量，仍然以研发下一代产品为主，降价是没可能了，艹。

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紫光不量产 价格不会下降了

日本人废了，台湾人也没什么搞头，内地还没开干，所以·······

降价可能性很小吧，不是说明年iPhoneX plus内存要加到6GB，这都要拉动多少DRAM需求了。。。。